芯片复制半导体放电管如何选型
在常规的防护方案中,半导体放电管因其优越的性价比被广泛认可,该类器件适用于通讯系统一、二级的防雷击浪涌、防静电、|芯片复制防EMI干扰等保护,产品广泛用于:电话机、传真机、Modem、XDSL终端、程控交换机局端设备、T1/E1接口、仪器仪表、及其配线架、RS485/232数据线、以太网交换机、CATV设备、安防产品、远程监控、远程抄表等产品中。
1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。芯片复制如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和|芯片复制直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。
除了防雷击浪涌,半导体放电管更是应用较多的限压器件,芯片复制有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。在电路防护方案中,半导体放电管一般并联在电路上,器件不动作时,阻值最高,可视为开路,对电路几乎没有影响。当有异常脉冲时,阻值瞬间下降,瞬间释放电流。当异常高压消失,其恢复到高阻状态,电路正常工作。
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