芯片解密电荷藕合器件图像传感器CCD(Charge Coupled Device)，它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地把数据传输给计算机，并借助于计算机的处理手段，根据需要和想像来修改图像。

CCD传感器是一种新型光电转换器件，它能存储由光产生的信号电荷。当对它施加特定时序的脉冲时，其存储的信号电荷便可在CCD内作定向传输而实现自扫描。它主要由光敏单元、输入结构和输出结构等组成。它具有光电转换、信息存贮和延时等功能，而且集成度高、功耗小，已经在摄像、信号处理和存贮3大领域中得到广泛的应用，尤其是在图像传感器应用方面取得令人瞩目的发展。

当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬底中形成耗尽区(势阱)，耗尽区的深度随正偏压升高而加大。其中的少数载流子(电子)被吸收到最高正偏压电极下的区域内，形成电荷包(势阱)电荷转移的控制方法，类似于步进电极的步进控制方式。也有二相、三相等控制方式之分。下面以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。

芯片解密CCD基本单位是MOS电容器，这种电容器可以储存电荷。以P型硅为例，在P型硅衬底上氧化形成表面SiO2层，然后在SiO一层金属上淀积为栅极，P型硅中的大多数载流子是带有正电荷的孔，少数载流子是带有负电荷的电子。当正电压施加在金属电极上时，其电场可以通过SiO绝缘层排斥或吸引这些载流子。因此，带正电源的空穴被排除在远离电极的地方，留下一些带负电源的载流子，这些载流子无法移动SiO二层形成负电荷层(耗尽层)，这种现象就形成了电子陷阱，电子一旦进入就无法复出，因此也被称为电子潜在陷阱。