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单片机解密MC9S08DZ60引脚图 中文数据手册

单片机解密20PIN,超高速32位总线1T 8051内核Flash MCU,512B SRAM,8KB Flash,128B独立EEPROM,12位ADC,3路8+2位PWM,3个定时器,UART,SPI,PGA


工作电压:    2.4V~5.5V
工作温度:    -40 ~ 85℃
封装TSSOP20L
内核超快速的32位总线1T 8051
Flash ROM: 8KB Flash ROM (MOVC禁止寻址0000H~00FFH) 可重复写入1万次;可选8KB范围内IAP 模式,实现远程上网程序更新
EEPROM独立的128Byte,可重复写入10万次;
SRAM512Byte SRAM


系统时钟内建高频 24MHz 振荡器
l   IC工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为24MHz(3.7-5.5V)、12/6/2MHz (2.4-5.5V)
l   频率误差: 跨越 (2.4V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境, 不超过 ±1%。
l   内置晶体振荡器电路,可外接2~16MHz振荡器。
l   振荡器侦测电路,当发现外部振荡器停振后自动切到内部高频HRC振荡器,直至下次复位时再重置


内建低频 128kHz LRC 振荡器
l   频率误差: 跨越 (2.4V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境,频率误差不超过±3%

内建2kHz 振荡器

l  用作WDT的CLK Source

低电压复位(LVR):
l   复位电压有2级可选:分别是3.7V、2.3V
l   缺省值为用户烧写Code Option所选值

Flash烧写和仿真:   
l  2线JTAG烧写和仿真接口

中断(INT):
l   Timer0, Timer1, Timer2, INT0~1, ADC,PWM,UART,SPI,Base Timer 共10 个中断源
l   外部中断有2个中断向量,全部可设上升沿、下降沿、双沿中断
l   两级中断优先级可设



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