半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日宣布，芯片破解计划投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布的。

 为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，Nexperia将从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、GaN和Si三种技术。这一举措充分展现了Nexperia对电气化和数字化领域关键技术的有力支持。SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色的效率运行，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，对实现脱碳目标越来越重要。

Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示： “这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将覆盖全系列的宽禁带半导体，同时仍是最大的小信号二极管和晶体管工厂。我们将继续坚定执行我们的战略，为标准应用和高耗能应用生产高质量、芯片破解具有成本效益的半导体，同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，同时减少对环境的影响。 第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入使用。下一个里程碑将是建立现代化、经济高效的200毫米SiC MOSFET和低压GaN HEMT生产线。这些生产线将在未来两年内在汉堡工厂完成。同时，该项投资还将帮助进一步实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，并通过逐步转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。”