随着全球制造业向中国的转移，我国功率半导体市场占世界市场的50%以上，是全球最大的IGBT市场。但IGBT产品严重依赖进口，在中高端领域更是90%以上的IGBT器件依赖进口，IGBT国产化需求已是刻不容缓。

一、技术差距缩小+成本优势凸显成趋势

从全产业链看，IGBT的前期资本开支大，中期制造良品率重要，后面市场开拓需要培育，壁垒极高。

量产经验与装车量方面，英飞凌等海外巨头量产经验丰富，国内市场比亚迪凭借自身品牌电动车稳定应用场景具备独有优势。单片机解密

自第六代技术以后，各大厂商开始将精力转移到IGBT封装上。在IGBT封装材料方面，日本在全球遥遥领先，德国和美国处于跟随态势，我国的材料科学则相对落后。

伴随国内企业8寸晶圆产线先后投产，良率逐步提升，国产IGBT有望较此前采购英飞凌等巨头晶圆价格大幅下降。

二、国内企业在IGBT布局进入加速模式

国内厂商发展具有自身优势，从需求端讲，中国功率半导体需求量世界第一;从供给端讲，自主可控是发展趋势。

今年4月底，比亚迪IGBT项目已在长沙开工建设，该项目建成后可年产25万片8英寸新能源汽车电子芯，可满足年装车50万辆的产能需求。

此外，其他厂商也在加快IGBT的产能建设，斯达半导新能源汽车用IGBT模块扩产项目投产后可年产120万个新能源汽车用IGBT模块。

单片机解密车时代电气已完成第一条投资10亿元的IGBT生产线产能释放，第二条投资35亿元的生产线预计2020年底开始试生产，产值可达40-50亿元。

华虹半导体7月31日宣布，其8+12英寸大功率半导体产线将全面发力，积极承接IGBT代工业务。

赛晶电力电子一期产能将于2021年初建成投产，计划不晚于2024年形成200万件IGBT模块产能。

华润微发布的2020年半年度报告显示，公司目前在研项目共13项，其中包括IGBT产品设计及工艺技术研发。

三、IGBT技术与壁垒成攻坚难点

IGBT制造难度大，具有极高的技术壁垒，单片机解密中国功率半导体市场约占世界市场份额50%，但是中高端的MOSFET、IGBT主流器件市场基本被欧美、日本企业垄断。

国内IGBT技术(芯片设计、晶圆制造、模块封装)目前均处于起步阶段。国内IGBT企业在研发与制造工艺上与世界先进水平差距较大。

因此，行业内的后来者往往需要经历一段较长的技术摸索和积累，才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。

高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强;