芯片解密当美国政府开始认真考虑入股英特尔，对于这家传奇的半导体公司已经不是一个简单的交易，变成了一次带有战略意味的产业下注。

作为曾经的半导体霸主，英特尔在先进制程的落后已经让它在7nm、5nm甚至即将到来的2nm节点上，逐渐失去与台积电、三星抗衡的资本。与此同时，俄亥俄州晶圆厂的建设一再延迟，让美国苦心推动的“本土先进制造”蓝图迟迟难以落地。

这场可能的股权投资，放在过去并不常见。美国政府虽然长期通过采购、补贴等手段影响军工和稀土等战略产业，但直接持股半导体科技巨头，可以看到在半导体领域美国的焦急，不再甘心成为单纯的政策制定者，选择主动进入董事会层面的利益相关方。

背后的逻辑很直接：全球地缘紧张下，先进制程芯片不仅是经济竞争的筹码，更是国防与科技安全的核心。

这笔投资不仅关系到英特尔的现金流与研发速度，还可能改变它的组织架构选择。外界呼吁拆分设计与制造，借鉴台积电模式，但在高度耦合的先进工艺时代，这条路或许并非捷径。

Part 1 美国政府为什么要考虑入股英特尔？

芯片解密在全球半导体产业版图中，制造能力正日益集中于少数几家企业和地区。

◎ 台积电在台湾、中国大陆的晶圆厂产能占据全球 60% 以上的代工市场份额，并在 3nm 工艺上实现量产领先；

◎ 三星则依托韩国和美国德州工厂，保持在 GAA（Gate-All-Around，全环绕栅极）结构上的技术竞争力。

◎ 相比之下，美国本土的先进制程产能占比不足 10%，且大部分仍处于 10nm 以上节点。

美国政府自 2020 年以来便不断加大对半导体产业的干预。

拜登政府在 2022 年签署的《芯片与科学法案》为国内芯片制造企业提供高达 527 亿美元的补贴与税收优惠，其中 390 亿美元直接用于生产制造补贴。

英特尔是法案的主要受益者之一，但在实际推进过程中，其俄亥俄州“Mega Fab”项目因资本开支压力、设备交付周期和建设节奏协调等问题多次延迟。

英特尔目前面临的现实困境：

◎ 先进制程延误：从 10nm 延迟到 7nm，再到推迟 20A（相当于 2nm）节点的量产，工艺落后导致高性能 CPU 与 GPU 市场份额持续下滑。

◎ 代工业务起步缓慢：虽然成立了 Intel Foundry Services（IFS）部门，但在吸引大型外部客户方面进展有限，且先进制程良率尚未稳定。

◎ 资本与技术双重压力：2nm GAA 工艺引入、EUV 光刻机采购、先进封装产线建设都需要持续且巨额的投资。

在此背景下，美国政府直接入股英特尔，一方面是为了加速本土先进制程产能落地，另一方面是确保在地缘政治紧张时，美国拥有独立可控的尖端芯片生产能力。

2nm / 3nm 工艺的技术门槛

当前先进制程主要采用 FinFET 与 GAA 两种晶体管结构：

◎ 3nm FinFET：台积电的 N3 系列已在 2022 年底量产，采用优化的 FinFET 晶体管设计，兼顾性能与良率。

◎ 2nm GAA：三星已在 2022 年推出首代 GAA 工艺（SF3E），英特尔计划在 20A 节点引入 RibbonFET（其自有 GAA 技术）。

芯片解密GAA 相较于 FinFET，可提供更好的栅极控制能力，从而在相同功耗下降低漏电流、提高晶体管密度。但其制造复杂度显著提高，需要更多的 EUV 曝光步骤与高精度图形对准能力，这直接增加了设备需求和生产成本。

2nm 节点的关键在于 高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机 的应用，这类设备由荷兰 ASML 独家生产，全球每年的产能仅 5–6 台，且价格高达 3.5 亿美元以上。

英特尔是全球第一批下单 High-NA EUV 的厂商，但设备交付和产线调试需要 18–24 个月的周期，这也是其 20A/18A 工艺延迟的重要原因之一。